Чип-индуктивность 1812 L 22 мкГн, Bourns
Индуктивности SMT серии B82432A производятся методом лазерного вырезания дорожек на медной фольге и методом намотки медного
провода на сердечник. Индуктивности, выполненные с применением лазерной резки, характеризуются высоким частотным резонансом и
обладают высокой надёжностью. Имеет негорючий корпус.
Применение:
- Фильтрация напряжения питания, объединение и разделение
- Антенные системы
- Автомобильная электроника
- Телекоммуникации
- Промышленная электроника
Технические параметры
- Номинальная индуктивность, мкГн: 22
- Допуск номинальной индуктивности, %: 10
- Типоразмер: 1812
- Активное сопротивление, Ом: 1.45
- Добротность, Q: 45
- Рабочая температура, С: -55…125
- Способ монтажа: smd
- Длина корпуса, мм: 3.2
- Диаметр (ширина)корпуса, мм: 4.5
- Максимальный постоянный ток, мА: 260
- Вес, г: 1.3
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
1206 C 1,0 мкФ (X7R) 50V, Конденсатор
13
₽
7,80 ₽ от 100 шт
Арт:
96-61-59
1517 сегодня
Конденсатор 1206 C 1,0 мкФ (X7R) 50V
1812 L 15 мкГн, Чип-индуктивность, Bourns
50
₽
Арт:
74-27-70
8 сегодня
Чип-индуктивность 1812 L 15 мкГн, Bourns
0805 C 75,0 пФ, Чип-конденсатор
0805 R 510 кОм, Чип-резистор
3
₽
2,40 ₽ от 10 шт
Арт:
99-09-67
2217 сегодня
Чип-резистор 0805 R 510 кОм
0805 R 51 Ом, Чип-резистор
TPS54202DDCR, Микросхема, SOT-23-6, Texas
80
₽
Арт:
73-35-03
3 сегодня
Микросхема TPS54202DDCR, SOT-23-6, Texas
GD32F103CBT6, Микросхема, LQFP48, GigaDevice, (STM32F103CBT6)
230
₽
Арт:
73-71-03
4 сегодня
Микросхема GD32F103CBT6, LQFP48, GigaDevice, (STM32F103CBT6)
Аккумулятор SAMSUNG ICR18650-26J 3,7V, 2600mAh, Li-ion
630
₽
Арт:
74-10-41
30 сегодня
Аккумулятор SAMSUNG ICR18650-26J 3,7V, 2600mAh, Li-ion
1812 L 47 мкГн, Чип-индуктивность, Bourns
40
₽
Арт:
74-27-77
9 сегодня
Чип-индуктивность 1812 L 47 мкГн, Bourns