Транзистор IGBT GT45F122, TO220SIS, (45A, 300В, 2,7В)
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/45F122.pdf
- Максимальное напряжение КЭ 300 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 45 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 200 A
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
- Максимальное напряжение КЭ 300 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 45 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 200 A
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
GT30J124, Транзистор IGBT, TO220SIS, Toshiba
350
₽
Арт:
79-36-77
Доступно: 8 сегодня
Транзистор IGBT GT30J124, TO220SIS, Toshiba
IRGP4086, Транзистор IGBT, TO247, IR
590
₽
Арт:
76-47-95
Доступно: 4 сегодня
Транзистор IGBT IRGP4086, TO247, IR
Цилиндрический уровень для выравнивания стола 3D принтера
60
₽
Арт:
74-16-46
Цилиндрический уровень для выравнивания стола 3D принтера...
OK57STH51-4204B, Двигатель шаговый NEMA23 с двухсторонним валом, (угол: 1.8°, 4.2A, 0.4 Ом, 12.84 кг/см)
2 260
₽
Арт:
74-82-19
Доступно: 3 сегодня
Двигатель шаговый NEMA23 с двухсторонним валом OK57STH51-4204B, (угол: 1.8°, 4.2...
AP8012H, Микросхема, DIP8, AiT Semiconductor
90
₽
Арт:
75-18-01
Доступно: 9 сегодня
Микросхема AP8012H, DIP8, AiT Semiconductor
GT45G122, Транзистор IGBT, TO220F, Toshiba, (45A, 400В, 2,9В)
350
₽
Арт:
75-48-15
Доступно: 9 сегодня
Транзистор IGBT GT45G122, TO220F, Toshiba, (45A, 400В, 2,9В)
2 Вт 0,39 Ом, Резистор
LNK626DG, Микросхема, Power Integrations
220
₽
Арт:
75-85-90
Доступно: 8 сегодня
Микросхема LNK626DG, Power Integrations