Транзистор RJP30H1DPD, TO-252, Renesas, (30А, 360В)
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/RJP30H1DPD.pdf
- Максимальное напряжение КЭ 360 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 30 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 200 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 40 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
- Максимальное напряжение КЭ 360 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 30 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 200 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 40 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
TND315S, Микросхема, ON Semiconductor
790
₽
Арт:
75-36-56
Доступно: 2 сегодня
Микросхема TND315S, ON Semiconductor
TLP155E, Оптопара, Toshiba
HER207, Диод, DO41, DC, (2А, 800В, <75нс)
18
₽
Арт:
88-38-97
Доступно: 279 сегодня
Диод HER207, DO41, DC, (2А, 800В,
UC3842BNG, Микросхема, DIP8, STMicroelectronics
65
₽
Арт:
96-24-94
Доступно: 145 сегодня
Микросхема UC3842BNG, DIP8, STMicroelectronics
STGW30V60DF, Транзистор IGBT, TO247, ST Microelectronics
450
₽
405 ₽ от 5 шт
Арт:
74-03-36
Доступно: 7 сегодня
Транзистор IGBT STGW30V60DF, TO247, ST Microelectronics
AP4511GM, Транзистор, SO8, Advanced Power Electronics Corp., (6.1А, 35В, 40мОм) NP
90
₽
Арт:
74-95-86
Доступно: 10 сегодня
Транзистор AP4511GM, SO8, Advanced Power Electronics Corp., (6.1А, 35В, 40мОм) N...
RJP63K2DPE, Транзистор IGBT, D2PAK, Renesas
550
₽
Арт:
77-30-07
Доступно: 9 сегодня
Транзистор IGBT RJP63K2DPE, D2PAK, Renesas
ECAP 470 мкФ / 25 В 10x12.5 TK, Конденсатор электролитический, JAMICON, (аналог К50-35)
16
₽
Арт:
77-59-57
Доступно: 1775 сегодня
Конденсатор электролитический ECAP 470 мкФ / 25 В 10x12.5 TK, JAMICON, (аналог К...