Транзистор SPA20N60C3XKSA1, TO220, INFIN
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/202/SPA20N60C3XKSA1.pdf
- Напряжение исток-сток макс. 650 В
- Ток стока макс. 20.7 А
- Сопротивление открытого канала 0.43 Ом
- Мощность макс. 34.5 Вт
- Входная емкость 2400 пФ
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Напряжение исток-сток макс. 650 В
- Ток стока макс. 20.7 А
- Сопротивление открытого канала 0.43 Ом
- Мощность макс. 34.5 Вт
- Входная емкость 2400 пФ
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
FGH40N60SMD, Транзистор IGBT, TO-247, ON Semiconductor
690
₽
621 ₽ от 4 шт
Арт:
75-64-85
Доступно: 41 сегодня
Транзистор IGBT FGH40N60SMD, TO-247, ON Semiconductor
MMBT4403LT1G, Транзистор, SOT23, YJ, (2T SMD)
10
₽
Арт:
91-82-17
Доступно: 141 сегодня
Транзистор MMBT4403LT1G, SOT23, YJ, (2T SMD)
TL TL494CD, Микросхема, SOIC16, Texas Instruments
50
₽
Арт:
93-28-85
Доступно: 54 сегодня
Микросхема TLTL494CD, SOIC16, Texas Instruments
UC 3845BD1013TR, Микросхема, SOIC8, STMicroelectronics
60
₽
Арт:
94-02-10
Доступно: 27 сегодня
Микросхема UC3845BD1013TR, SOIC8, STMicroelectronics
L6599D, Микросхема, SOIC16, STM
250
₽
Арт:
96-80-13
Доступно: 13 сегодня
Микросхема L6599D, SOIC16, STM
1206 R 10 Ом, Чип-резистор
5
₽
3,70 ₽ от 10 шт
Арт:
99-09-15
Доступно: 2250 сегодня
Чип-резистор 1206 R 10 Ом
GBU10K 10A, 800V, Диодный мост, GBU, Galaxy ME
110
₽
Арт:
75-25-25
Доступно: 10 сегодня
Диодный мост GBU10K 10A, 800V, GBU, Galaxy ME
GBJ2510, Диодный мост, GBJ, MIC, 25A 1000V
110
₽
88 ₽ от 5 шт
Арт:
76-09-49
Доступно: 129 сегодня
Диодный мост GBJ2510, GBJ, MIC, 25A 1000V