Транзистор IGBT SGH40N60UFD, TO3P, ON Semiconductor
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/SGH40N60UFD.pdf
- Максимальный ток КЭ при 100°C 20 A
- Максимальное напряжение КЭ 600 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 40 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 160 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 160 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
- Максимальный ток КЭ при 100°C 20 A
- Максимальное напряжение КЭ 600 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 40 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 160 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 160 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
FGH40N60UFD, Транзистор IGBT, TO-247, ONS-FAIR
690
₽
552 ₽ от 4 шт; 426 ₽ от 24 шт
Арт:
79-71-37
Доступно: 35 сегодня
Транзистор IGBT FGH40N60UFD, TO-247, ONS-FAIR
10 Вт 51 Ом, Резистор
FGH40N60SFD, Транзистор IGBT, TO-247, ON Semiconductor
580
₽
522 ₽ от 10 шт
Арт:
79-88-94
Доступно: 189 сегодня
Транзистор IGBT FGH40N60SFD, TO-247, ON Semiconductor
15 Вт 51 Ом, Резистор, YAG
80
₽
68 ₽ от 10 шт
Арт:
78-46-97
Доступно: 14 сегодня
Резистор 15 Вт 51 Ом, YAG
Припой с канифолью ПОС 60/40 1,0 мм (Sn60 Pb40 Flux 2.2 %) 20 г Rexant, Rexant
310
₽
Арт:
79-09-89
Доступно: 76 сегодня
Припой с канифолью ПОС 60/40 1,0 мм (Sn60 Pb40 Flux 2.2 %) 20 г Rexant, Rexant...
UC3842BN, Микросхема, DIP8, STMicroelectronics
65 ₽
40
₽
Арт:
96-24-94
Доступно: 89 сегодня
Микросхема UC3842BN, DIP8, STMicroelectronics
1206 R 10 Ом, Чип-резистор
5
₽
3,70 ₽ от 10 шт
Арт:
99-09-15
Доступно: 1502 сегодня
Чип-резистор 1206 R 10 Ом
GSIB2560 25A, 600V, Диодный мост, GSIB-5S, Vishay
250
₽
Арт:
99-38-49
Доступно: 19 сегодня
Диодный мост GSIB2560 25A, 600V, GSIB-5S, Vishay
FQP50N06, Транзистор, TO220, Fairchild
180 ₽
60
₽
Арт:
99-48-87
Доступно: 205 сегодня
Транзистор FQP50N06, TO220, Fairchild