Транзистор IGBT IRGS14C40L, TO-263, IR
- Максимальный ток КЭ при 100°C 14 A
- Максимальное напряжение КЭ 400 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 20 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт
- Температурный диапазон -40 ... +175 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
- Максимальный ток КЭ при 100°C 14 A
- Максимальное напряжение КЭ 400 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 20 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт
- Температурный диапазон -40 ... +175 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, TO263, STMicroelectronics
490
₽
Арт:
93-33-99
128 сегодня
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4, TO263, STMicroelectronics
AT27C512-45, Микросхема, DIP-28, Winbond
390
₽
Арт:
78-89-45
9 сегодня
Микросхема AT27C512-45, DIP-28, Winbond
STGD18N40LZT, Транзистор, TO252, ST Microelectronics
390
₽
Арт:
79-74-67
138 сегодня
Транзистор STGD18N40LZT, TO252, ST Microelectronics
16K1 F 10 кОм, Резистор переменный, RUiCHi
40
₽
Арт:
99-07-74
22 сегодня
Резистор переменный 16K1 F 10 кОм, RUiCHi
Клей БФ-2 ГОСТ 12172-2016, 100 мл.(0,08 кг)
190
₽
Арт:
91-09-88
7 сегодня
Клей БФ-2 ГОСТ 12172-2016, 100 мл.(0,08 кг)
PTC KONIG (3 н.) 20 Ом, Позистор
BTS2140-1B, Транзистор IGBT, TO-263, Infineon
550
₽
Арт:
99-46-37
6 сегодня
Транзистор IGBT BTS2140-1B, TO-263, Infineon
TNY266PN, Микросхема, DIP-7, PWR
240
₽
180 ₽ от 10 шт
Арт:
99-67-99
91 сегодня
Микросхема TNY266PN, DIP-7, PWR
NE555P, Микросхема, DIP8-300, Texas Instruments, (=КР1006ВИ1)
40
₽
32 ₽ от 10 шт; 23,50 ₽ от 100 шт
Арт:
99-97-53
160 сегодня
Микросхема NE555P, DIP8-300, Texas Instruments, (=КР1006ВИ1)