Диодный мост GBJ35K, GBJ, 35А, 800В
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/309/GBJ35K.pdf
- Конфигурация соединения диодов 4
- Максимальное обратное напряжение диода 800 В
- Прямой ток диода (средний) 35 А
- Прямое падение напряжения 1.1 В
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Конфигурация соединения диодов 4
- Максимальное обратное напряжение диода 800 В
- Прямой ток диода (средний) 35 А
- Прямое падение напряжения 1.1 В
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
IHW20N120R3FKSA1, Транзистор IGBT, TO-247, Infineon, (H20R1203)
690
₽
552 ₽ от 10 шт
Арт:
77-61-33
Доступно: 1 сегодня
Транзистор IGBT IHW20N120R3FKSA1, TO-247, Infineon, (H20R1203)
FGA25N120ANTD, Транзистор, TO-3P[N], Kingdazzle Semiconductor
490
₽
441 ₽ от 10 шт
Арт:
99-50-22
Доступно: 96 сегодня
Транзистор FGA25N120ANTD, TO-3P[N], Kingdazzle Semiconductor
IHW30N160R5XKSA1, Транзистор IGBT, TO247, INF
890
₽
Арт:
75-36-53
Доступно: 10 сегодня
Транзистор IGBT IHW30N160R5XKSA1, TO247, INF
GBJ2510, Диодный мост, GBJ, MIC, 25A 1000V
110
₽
88 ₽ от 5 шт
Арт:
76-09-49
Доступно: 129 сегодня
Диодный мост GBJ2510, GBJ, MIC, 25A 1000V
ECAP 22 мкФ / 50 В 5x11 TK, Конденсатор электролитический, JAMICON, (аналог К50-35)
6
₽
Арт:
99-02-49
Доступно: 770 сегодня
Конденсатор электролитический ECAP 22 мкФ / 50 В 5x11 TK, JAMICON, (аналог К50-3...
ECAP 10 мкФ / 50 В 5x11 TK, Конденсатор электролитический, JAMICON, (аналог К50-35)
8
₽
Арт:
97-37-96
Доступно: 603 сегодня
Конденсатор электролитический ECAP 10 мкФ / 50 В 5x11 TK, JAMICON, (аналог К50-3...
GBU15M 15A, 1000V, Диодный мост, GBU
80
₽
Арт:
75-25-29
Доступно: 49 сегодня
Диодный мост GBU15M 15A, 1000V, GBU
10A10, Диод, R6, HOTTECH, (10A, 1000V)
25
₽
20 ₽ от 20 шт
Арт:
89-63-86
Доступно: 306 сегодня
Диод 10A10, R6, HOTTECH, (10A, 1000V)