Транзистор PMST3904.115, SC703, NEX
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/201/PMST3904.115.pdf
- Макcимальный постоянный ток коллектора (А) 0.2
- Напряжение КБ максимальное (В) 60
- Напряжение КЭ максимальное (В) 40
- Максимальная рассеиваемая мощность 0.2 Вт
- Температурный диапазон -65 ... +150 °C
- Коэффициент усиления по току (hfe) 100 ... 300
- Структура n-p-n
- Макcимальный постоянный ток коллектора (А) 0.2
- Напряжение КБ максимальное (В) 60
- Напряжение КЭ максимальное (В) 40
- Максимальная рассеиваемая мощность 0.2 Вт
- Температурный диапазон -65 ... +150 °C
- Коэффициент усиления по току (hfe) 100 ... 300
- Структура n-p-n
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
PMBT3904.215, Транзистор, SOT23, NEX-NXP
10
₽
Арт:
77-68-63
53 сегодня
Транзистор PMBT3904.215, SOT23, NEX-NXP
PMBT3906.215, Транзистор, SOT23, NXP
10
₽
Арт:
79-90-38
10 сегодня
Транзистор PMBT3906.215, SOT23, NXP
MMBT3906LT1G, Транзистор, SOT23, YJ, PNP
6
₽
Арт:
99-50-95
76 сегодня
Транзистор MMBT3906LT1G, SOT23, YJ, PNP
MMBT3904LT1G, Транзистор, TO236, NEX-NXP, NPN
10
₽
Арт:
97-30-19
125 сегодня
Транзистор MMBT3904LT1G, TO236, NEX-NXP, NPN
1206 R 10 кОм, Чип-резистор, Yageo
5
₽
3,70 ₽ от 10 шт
Арт:
99-08-47
8379 сегодня
Чип-резистор 1206 R 10 кОм, Yageo
0805 C 1,0 мкФ (X7R), Чип-конденсатор, CERCAP 0805, SAMSUNG, CL21B105KBFNNNE
9
₽
5,40 ₽ от 10 шт
Арт:
98-98-26
626 сегодня
Чип-конденсатор 0805 C 1,0 мкФ (X7R), CERCAP 0805, SAMSUNG, CL21B105KBFNNNE...
1206 R 47 кОм, Чип-резистор
5
₽
3,70 ₽ от 10 шт
Арт:
99-08-30
3012 сегодня
Чип-резистор 1206 R 47 кОм
1206 R 1 кОм, Чип-резистор, HOTTECH
5
₽
3,70 ₽ от 10 шт
Арт:
99-08-70
3820 сегодня
Чип-резистор 1206 R 1 кОм, HOTTECH
40x60 мм - 2, Двусторонняя макетная плата
45
₽
Арт:
73-24-62
9 сегодня
Двусторонняя макетная плата 40x60 мм - 2