Транзистор IGBT GT50J327, 2-16C1C, Toshiba
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/GT45G122.pdf
- Максимальное напряжение КЭ 600 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 50 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 100 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 130 Вт
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
- Максимальное напряжение КЭ 600 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 50 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 100 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 130 Вт
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
GT60N321, Транзистор IGBT, 2-21F2C, Toshiba, формованные выводы
890
₽
Арт:
94-19-05
Доступно: 2 сегодня
Транзистор IGBT GT60N321, 2-21F2C, Toshiba, формованные выводы...
0805 R 20 Ом, Чип-резистор
3
₽
2,40 ₽ от 10 шт
Арт:
99-10-72
Доступно: 9531 сегодня
Чип-резистор 0805 R 20 Ом
LNK304PN, Микросхема, DIP8, Power Integrations
180
₽
Арт:
99-82-70
Доступно: 64 сегодня
Микросхема LNK304PN, DIP8, Power Integrations
GBU15M 15A, 1000V, Диодный мост, GBU
80
₽
Арт:
75-25-29
Доступно: 49 сегодня
Диодный мост GBU15M 15A, 1000V, GBU
Винт с гайкой и шайбами ЗУБР DIN 965 M4 x 20 мм, 25 шт.
120
₽
Арт:
75-36-93
Доступно: 19 сегодня
Винт с гайкой и шайбами ЗУБР DIN 965 M4 x 20 мм, 25 шт....
DEXP F24B7200VE / DNS V40DN54, Пульт ДУ
550
₽
Арт:
75-92-56
Доступно: 2 сегодня
Пульт ДУ DEXP F24B7200VE / DNS V40DN54
GBJ2510, Диодный мост, GBJ, MIC, 25A 1000V
110
₽
88 ₽ от 5 шт
Арт:
76-09-49
Доступно: 129 сегодня
Диодный мост GBJ2510, GBJ, MIC, 25A 1000V
Штекер «Джек 3,5 мм» 4-х контактный, метал. позол., мини корпус
120
₽
Арт:
76-65-76
Доступно: 15 сегодня
Штекер «Джек 3,5 мм» 4-х контактный, метал. позол., мини корпус...