Транзистор IGBT GT60N321, 2-21F2C, Toshiba, формованные выводы
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/GT60N321.pdf
- Максимальное напряжение КЭ 1000 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 60 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 120 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 170 Вт
- Температурный диапазон 55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
- Максимальное напряжение КЭ 1000 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 60 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 120 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 170 Вт
- Температурный диапазон 55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
GBJ35K, Диодный мост, 35А, 800В
140
₽
112 ₽ от 5 шт
Арт:
75-99-96
54 сегодня
Диодный мост GBJ35K, 35А, 800В
FUSE 6*30mm 10,0А, Предохранитель
14
₽
7,70 ₽ от 100 шт
Арт:
98-95-00
260 сегодня
Предохранитель FUSE 6*30mm 10,0А
GBJ2510, Диодный мост, GBJ, MIC, 25A 1000V
110
₽
88 ₽ от 5 шт
Арт:
76-09-49
180 сегодня
Диодный мост GBJ2510, GBJ, MIC, 25A 1000V
1206 R 1 Ом 1%, Чип-резистор, SMD120632X16MM, YAG
3
₽
2,40 ₽ от 10 шт
Арт:
78-12-48
297 сегодня
Чип-резистор 1206 R 1 Ом 1%, SMD120632X16MM, YAG
GT50J327, Транзистор IGBT, 2-16C1C, Toshiba
690
₽
Арт:
92-24-29
3 сегодня
Транзистор IGBT GT50J327, 2-16C1C, Toshiba
Кнопка SWT-12*12*9,5 мм
GSIB2560 25A, 600V, Диодный мост, Vishay
250
₽
Арт:
99-38-49
42 сегодня
Диодный мост GSIB2560 25A, 600V, Vishay
Набор бит STAYER ProFix PH1 50 мм, 2 шт, Stayer
60
₽
Арт:
73-81-16
6 сегодня
Набор бит STAYER ProFix PH1 50 мм, 2 шт, Stayer