Транзистор IGBT SGT40N60FD1P7, TO-247, Silan Microelectronics
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
LD50SB100 50A, 1000V, Диодный мост, LRC
290
₽
232 ₽ от 10 шт; 97,50 ₽ от 50 шт
Арт:
72-47-30
Доступно: 37 сегодня
Диодный мост LD50SB100 50A, 1000V, LRC
ECAP 820 мкФ / 400 В 35*50, Конденсатор электролитический, SAMWHA
1 690
₽
Арт:
72-49-41
Доступно: 14 сегодня
Конденсатор электролитический ECAP 820 мкФ / 400 В 35*50, SAMWHA...
SGT40N60NPFD, Транзистор IGBT, TO-3P, SILAN
290 ₽
150
₽
Арт:
73-12-67
Доступно: 82 сегодня
Транзистор IGBT SGT40N60NPFD, TO-3P, SILAN
GBJ2510, Диодный мост, GBJ, YJ, 25A 1000V
55
₽
49,50 ₽ от 100 шт
Арт:
76-09-49
Доступно: 59 сегодня
Диодный мост GBJ2510, GBJ, YJ, 25A 1000V
GT50JR22, Транзистор IGBT, TO3P, TOS
270
₽
243 ₽ от 10 шт; 199 ₽ от 100 шт
Арт:
76-14-81
Доступно: 224 сегодня
Транзистор IGBT GT50JR22, TO3P, TOS
ECAP 470 мкФ / 400 В 35x40 LS, Конденсатор электролитический, JAMICON
690
₽
Арт:
77-59-41
Доступно: 33 сегодня
Конденсатор электролитический ECAP 470 мкФ / 400 В 35x40 LS, JAMICON...
CLA50E1200HB, Тиристор, TO247AD, IXYS
690
₽
552 ₽ от 5 шт
Арт:
77-82-03
Доступно: 27 сегодня
Тиристор CLA50E1200HB, TO247AD, IXYS
30ETH06, Диод, TO-220-2, IR, 30A, 600В, <35нс
290
₽
Арт:
79-83-75
Доступно: 6 сегодня
Диод 30ETH06, TO-220-2, IR, 30A, 600В,
ВП2Б-1В 10,0А, Предохранитель
60
₽
54 ₽ от 10 шт; 43 ₽ от 100 шт
Арт:
97-20-50
Доступно: 282 сегодня
Предохранитель ВП2Б-1В 10,0А