Транзистор IGBT IRG7PH42UD-EP, TO247, Infineon, (85А, 1200В, 1,7В)
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/IRG7PH42UD-EP.pdf
- Максимальный ток КЭ при 100°C 45 A
- Максимальное напряжение КЭ 1200 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 85 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 90 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 320 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
- Максимальный ток КЭ при 100°C 45 A
- Максимальное напряжение КЭ 1200 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 85 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 90 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 320 Вт
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Да
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
EC11E 30/15 20mm pushpin, Энкодер, RUiCHi
110
₽
Арт:
73-65-57
Доступно: 57 сегодня
Энкодер EC11E 30/15 20mm pushpin, RUiCHi
GT50JR22, Транзистор IGBT, TO3P, TOS
240
₽
Арт:
76-14-81
Доступно: 217 сегодня
Транзистор IGBT GT50JR22, TO3P, TOS
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, TO247, STMicroelectronics
510
₽
408 ₽ от 20 шт
Арт:
77-60-34
Доступно: 5 сегодня
Транзистор IGBT STGW60V60DF, TO247, STMicroelectronics
36MT120 35A, 1200V (3 фазы), Диодный мост, D-63, Vishay
1 590
₽
Арт:
99-38-58
Доступно: 6 сегодня
Диодный мост 36MT120 35A, 1200V (3 фазы), D-63, Vishay
SD6835, Микросхема, DIP-8, Silan Microelectronics
220
₽
Арт:
75-28-51
Доступно: 29 сегодня
Микросхема SD6835, DIP-8, Silan Microelectronics
B59985C0120A070 (PTC 120° 4.6 Ом 25%), Позистор, EPCOS
110
₽
Арт:
75-79-54
Доступно: 4 сегодня
Позистор B59985C0120A070 (PTC 120° 4.6 Ом 25%), EPCOS
Y5P (К15-5) 4700 пФ / 6,3 кВ, Конденсатор, Ether Components
30
₽
Арт:
78-66-05
Доступно: 428 сегодня
Конденсатор Y5P (К15-5) 4700 пФ / 6,3 кВ, Ether Components