Транзистор IGBT IRG7R313U, DPAK, IR, (40A, 330В, 1,35В)
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/203/IRG7R313U.pdf
- Максимальный ток КЭ при 100°C 20 A
- Максимальное напряжение КЭ 330 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 40 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 160 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 78 Вт
- Температурный диапазон -40 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
- Максимальный ток КЭ при 100°C 20 A
- Максимальное напряжение КЭ 330 В
- Максимальный ток КЭ при 25°C 40 A
- Импульсный ток коллектора (Icm) 160 A
- Максимальная рассеиваемая мощность 78 Вт
- Температурный диапазон -40 ... +150 °C
- Структура n-канал
- Наличие встроенного диода Нет
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
RJP63K2DPE, Транзистор IGBT, D2PAK, Renesas
550
₽
Арт:
77-30-07
Доступно: 9 сегодня
Транзистор IGBT RJP63K2DPE, D2PAK, Renesas
STTH5R06B, Диод, TO252, STM, (5A, 600В, <40нс)
140
₽
Арт:
90-14-77
Доступно: 10 сегодня
Диод STTH5R06B, TO252, STM, (5A, 600В,
STB19NF20, Транзистор, D2PAK, STMicroelectronics
120
₽
Арт:
79-83-72
Доступно: 13 сегодня
Транзистор STB19NF20, D2PAK, STMicroelectronics
TND315S, Микросхема, ON Semiconductor
790
₽
Арт:
75-36-56
Доступно: 2 сегодня
Микросхема TND315S, ON Semiconductor
TK10A60D, Транзистор, TO-220F, Toshiba
190
₽
Арт:
75-48-13
Доступно: 18 сегодня
Транзистор TK10A60D, TO-220F, Toshiba
STD10NM60N, Транзистор, TO252, STM
240
₽
Арт:
75-75-23
Доступно: 27 сегодня
Транзистор STD10NM60N, TO252, STM
2512 R 0,015 Ом 1%, Чип-резистор, BOURNS
20
₽
Арт:
76-04-98
Доступно: 10 сегодня
Чип-резистор 2512 R 0,015 Ом 1%, BOURNS
HFA08SD60S, Диод, DPAK, VISH/IR, (8А, 600В,<18нс)
120
₽
Арт:
76-18-79
Доступно: 4 сегодня
Диод HFA08SD60S, DPAK, VISH/IR, (8А, 600В,
G973-120ADJF11U, Микросхема, HSOP8, Global Mixed-mode Technology Inc.
350
₽
Арт:
77-15-38
Доступно: 43 сегодня
Микросхема G973-120ADJF11U, HSOP8, Global Mixed-mode Technology Inc.