Пн-Вс: 09:00 - 20:00
8 (347) 233-30-33
г. Уфа, проспект Октября, 108
  • Корзина (0)
  • 0
Каталог

ADP3110AKRZ-RL, Микросхема, SO-8, ON Semiconductor

Артикул: 75-88-51
Есть в наличии
  • Вес: кг.
  • Цена:
    230 ₽
    при заказе с сайта
  • Старая цена:
    0 ₽
  • Цена в розничном магазине:

    250 ₽

Доступно: 1 штсегодня
  • При заказе от Цена
  • 1 шт 230 ₽/шт
  • больше
Купить
Цена и наличие в магазинах (на 09:00 14-04-2025)
Розн. ценаНаличие

«Магазин Электроника» г. Уфа, просп. Октября 108

250 ₽1 шт
Микросхема ADP3110AKRZ-RL, SO-8, ON Semiconductor
 
С этим товаром покупают
290 ₽
Арт: 77-94-16
Доступно: 27 сегодня
SQD2011K, Микросхема, .
Микросхема SQD2011K, .
Купить
100 ₽
Арт: 75-23-38
Доступно: 9 сегодня
Шумоизоляция STP Маделин Н лента 1-1,5х15х2000 мм (противоскрипный материал)
Шумоизоляция STP Маделин Н лента 1-1,5х15х2000 мм (противоскрипный материал)...
Купить
50 ₽
Арт: 75-44-94
Доступно: 31 сегодня
RK-1233N1-B500K,L-15KC 500кОм, Резистор переменный
Резистор переменный RK-1233N1-B500K,L-15KC 500кОм
Купить
-12 %
250 ₽
220 ₽
Арт: 75-86-16
Доступно: 8 сегодня
FQP4N90C, Транзистор, TO-220, Fairchild
Транзистор FQP4N90C, TO-220, Fairchild
Купить
-50 %
120 ₽
60 ₽
Арт: 77-01-97
Доступно: 10 сегодня
STN4NF20L, Транзистор, SOT223, VBSEMI
Транзистор STN4NF20L, SOT223, VBSEMI
Купить
-32 %
110 ₽
75 ₽
Арт: 78-18-73
Доступно: 10 сегодня
MJD45H11T4, Транзистор, TO252, ONS, (8А, 80В, 20Вт) PNP
Транзистор MJD45H11T4, TO252, ONS, (8А, 80В, 20Вт) PNP
Купить
90 ₽
Арт: 78-18-74
Доступно: 12 сегодня
MJD44H11G, Транзистор, DPAK, ON Semiconductor, (8А, 80В, 20Вт) NPN
Транзистор MJD44H11G, DPAK, ON Semiconductor, (8А, 80В, 20Вт) NPN
Купить
40 ₽
Арт: 79-32-67
Доступно: 31 сегодня
OB2263MP, Микросхема, SOT236, ONBRIGHT
Микросхема OB2263MP, SOT236, ONBRIGHT
Купить
-17 %
30 ₽
25 ₽
Арт: 93-69-17
Доступно: 102 сегодня
TL431IDBZR, Микросхема, TO236, NEX
Микросхема TL431IDBZR, TO236, NEX
Купить
Избранное (1)
ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ДАННОГО САЙТА ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ СВОЕ СОГЛАСИЕ НА ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КУКИ-ФАЙЛОВ В СООТВЕТСТВИИ С НАСТОЯЩИМ СОГЛАШЕНИЕМ
×

Соглашение на обработку персональных данных


Настоящим, я (далее – Лицо), даю свое согласие ООО «Башэлектросервис», юридический адрес: 450045, РБ, г. Уфа, ул. Сахалинская, д.4, офис 7 (далее – Компания) на обработку своих персональных данных, указанных при оформлении заказа на сайте Компании для обработка моего заказа, коммуникации со мной в рамках обработки моего заказа, доставки заказанного мной товара, а также иных сопряженных с этим целей в рамках действующего законодательства РФ и технических возможностей Компании, а также для получения сервисного опроса по завершении оказания услуги или при невозможности оказания таковой.

Обработка персональных данных Лица может осуществляться с помощью средств автоматизации и/или без использования средств автоматизации в соответствии с действующим законодательством РФ и положениями Компании. Настоящим Лицо соглашается на передачу своих персональных данных третьим лицам для их обработки в соответствии с целями, предусмотренными настоящим согласием, на основании договоров, заключенных Компанией с этими лицами, персональные данные Лица могут передаваться внутри группы лиц ООО «Башэлектросервис», включая трансграничную передачу. Настоящее согласие Лица на обработку его/ее персональных данных, указанных при оформлении заказа на сайте Компании, направляемых (заполненных) с использованием настоящего сайта, действует с момента оформления заказа на сайте Компании до момента его отзыва. Согласие на обработку персональных данных, указанных при оформлении заказа на сайте Компании, направляемых (заполненных) с использованием настоящего сайта, может быть отозвано Лицом при подаче письменного заявления (отзыва) в Компанию. Обработка персональных данных Лица прекращается в течение 2 месяцев с момента получения Компанией письменного заявления (отзыва) Лица и/или в случае достижения цели обработки и уничтожается в срок и на условиях, установленных законом, если не предусмотрено иное. Обезличенные персональные данные Лица могут использоваться Компанией в статистических (и иных исследовательских целей) после получения заявления (отзыва) согласия, а также после достижения целей, для которых настоящее согласие было получено.

Настоящим Лицо подтверждает достоверность указанной информации.