Диод BAV23SE, SOT23
https://magazin-elektronika.ru/uploads/PDF/300/BAV23SE.pdf
- Максимальное обратное напряжение диода 200 В
- Прямой ток диода (средний) 0.225 А
- Прямое падение напряжения <1.25 В
- Обратный ток диода <0.0001 А
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
- Максимальное обратное напряжение диода 200 В
- Прямой ток диода (средний) 0.225 А
- Прямое падение напряжения <1.25 В
- Обратный ток диода <0.0001 А
- Температурный диапазон -55 ... +150 °C
Пожалуйста, авторизуйтесь на сайте, чтобы оценить товар и оставить ваш отзыв.
С этим товаром покупают
BAV21.113, Диод, DO35, NEX-NXP
.jpeg)
1N4148, Диод, DO35, DIOTEC, (=КД522) 150mА, 100В
.jpeg)
2
₽
1,50 ₽ от 100 шт
Арт:
97-49-08
Доступно: 8955 сегодня
Диод 1N4148, DO35, DIOTEC, (=КД522) 150mА, 100В
керам. 1,0 мкФ / 50 В, Конденсатор, JEC, X7R
12
₽
9,60 ₽ от 5 шт
Арт:
99-00-16
Доступно: 1486 сегодня
Конденсатор керам. 1,0 мкФ / 50 В, JEC, X7R
ZENER 18V 0,5W (BZX55-C18), Стабилитрон, DO35, DC
.jpeg)
5
₽
Арт:
99-41-82
Доступно: 40 сегодня
Стабилитрон ZENER 18V 0,5W (BZX55-C18), DO35, DC
MJE13007 (ST13007), Транзистор, TO220, STMicroelectronics
120
₽
96 ₽ от 10 шт
Арт:
99-51-11
Доступно: 180 сегодня
Транзистор MJE13007 (ST13007), TO220, STMicroelectronics
GD32F103CBT6, Микросхема, LQFP48, GigaDevice, (STM32F103CBT6)
230
₽
Арт:
73-71-03
Доступно: 4 сегодня
Микросхема GD32F103CBT6, LQFP48, GigaDevice, (STM32F103CBT6)
1812 L 15 мкГн, Чип-индуктивность, Bourns
50
₽
Арт:
74-27-70
Доступно: 8 сегодня
Чип-индуктивность 1812 L 15 мкГн, Bourns
1812 L 22 мкГн, Чип-индуктивность, Bourns
45
₽
Арт:
74-27-75
Доступно: 10 сегодня
Чип-индуктивность 1812 L 22 мкГн, Bourns
1812 L 47 мкГн, Чип-индуктивность, Bourns
40
₽
Арт:
74-27-77
Доступно: 9 сегодня
Чип-индуктивность 1812 L 47 мкГн, Bourns